参数资料
型号: IXFR44N50P
厂商: IXYS
文件页数: 3/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
标准包装: 30
系列: PolarHV™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 24A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 150 毫欧 @ 22A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5440pF @ 25V
功率 - 最大: 208W
安装类型: 通孔
封装/外壳: ISOPLUS247?
供应商设备封装: ISOPLUS247?
包装: 管件
IXFR 44N50P
45
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
100
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
40
35
30
25
V GS = 10V
7V
6V
90
80
70
60
50
V GS = 10V
8V
7V
20
15
10
40
30
20
6V
5
0
5V
10
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
45
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 22A Value
v s. Junction Temperature
40
V GS = 10V
7V
2.8
V GS = 10V
35
30
6V
2.4
25
20
2
1.6
I D = 44A
I D = 22A
15
10
5
0
5V
1.2
0.8
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V DS - Volts
T J - Degrees Centigrade
Tem perature
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 22A Value
v s. Drain Current
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
27
24
21
18
15
12
9
6
3
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
0.8
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
-50 0
-25
0
25
50
75
100
125
150
-25 T - Degrees Centigrade 75
0 25 50 100
T C - Degrees Centigrade
I D - Amperes
-50
C
125
150
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料
PDF描述
IXFR44N50Q3 MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247
IXFR44N60 MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
IXFR44N80P MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
IXFR48N50Q MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247
IXFR48N60P MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFR44N50Q 功能描述:MOSFET 34 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR44N50Q_03 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247, Q-Class
IXFR44N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR44N60 功能描述:MOSFET 600V 38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR44N80P 功能描述:MOSFET DIODE Id26 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube