收藏本站
参数资料
型号： IXFR44N50P
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
标准包装： 30
系列： PolarHV™ HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 24A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 150 毫欧 @ 22A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 98nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 5440pF @ 25V
功率 - 最大： 208W
安装类型： 通孔
封装/外壳： ISOPLUS247?
供应商设备封装： ISOPLUS247?
包装： 管件
IXFR 44N50P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
1.00
0.10
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse W idth - Seconds
? 2006 IXYS All rights reserved
IXYS REF: T_44N50P (8J) 03-21-06-B.XLS
相关PDF资料
PDF描述
IXFR44N50Q3 MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247
IXFR44N60 MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
IXFR44N80P MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
IXFR48N50Q MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247
IXFR48N60P MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFR44N50Q 功能描述:MOSFET 34 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR44N50Q_03 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247, Q-Class
IXFR44N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR44N60 功能描述:MOSFET 600V 38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR44N80P 功能描述:MOSFET DIODE Id26 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*