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参数资料
型号： IXFX94N50P2
厂商： IXYS
文件页数： 2/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247
标准包装： 30
系列： PolarP2™ HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 94A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 55 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 220nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 13700pF @ 25V
功率 - 最大： 1300W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商设备封装： PLUS247?-3
包装： 管件
IXFK94N50P2
IXFX94N50P2
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-264 Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
R Gi
V DS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Gate Input Resistance
40
75
14.2
1390
30
0.80
S
nF
pF
pF
Ω
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 Ω (External)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
35
15
73
12
228
63
80
0.15
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.096 ° C/W
° C/W
Dim.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
2.54 2.89
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
0.53 0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00 0.25
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
4 - Drain
Inches
Min. Max.
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
K
L
L1
P
Q
0.00 0.25
20.32 20.83
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
Source-Drain Diode
Q1
R
R1
8.38 8.69
3.81 4.32
1.78 2.29
.330 .342
.150 .170
.070 .090
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
S
T
6.04 6.30
1.57 1.83
.238 .248
.062 .072
I S
I SM
V SD
V GS = 0V
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
94
375
1.5
A
A
V
PLUS 247 TM Outline
t rr
Q RM
I RM
I F = 47A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0V
1.5
13
250
ns
μ C
A
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
Note 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Dim.
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
Millimeter
Min. Max.
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
0.61 0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
4.32 4.83
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
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