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参数资料
| 型号： | IXFX94N50P2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP2™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 94A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK94N50P2
IXFX94N50P2
100
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
200
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
90
80
70
60
50
40
30
20
V GS = 10V
7V
6V
180
160
140
120
100
80
60
40
V GS = 10V
8V
7V
6V
10
0
5V
20
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
0
5
10
15
20
25
30
100
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 47A Value vs.
Junction Temperature
90
V GS = 10V
7V
2.8
V GS = 10V
80
6V
70
2.4
60
2.0
I D = 94A
50
40
1.6
I D = 47A
30
5V
1.2
20
0.8
10
0
4V
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 47A Value vs.
Drain Current
V GS = 10V
100
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.8
T J = 125oC
80
70
2.4
60
2.0
50
40
1.6
T J = 25oC
30
20
1.2
10
0.8
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFZ520N075T2 | MOSFET N-CH 75V 465A DE-475 |
| IXGA4N100 | IGBT 8A 1000V TO-263AA |
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| IXKC13N80C | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX98N50P3 | 功能描述:MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFY4N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXFZ11N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFZ12N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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