- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录459 > IXFX94N50P2 (IXYS)MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFX94N50P2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP2™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 94A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK94N50P2
IXFX94N50P2
120
Fig. 7. Input Admittance
140
Fig. 8. Transconductance
100
80
T J = 125oC
25oC
- 40oC
120
100
80
T J = - 40oC
25oC
125oC
60
60
40
40
20
0
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 250V
250
200
150
8
7
6
5
4
I D = 47A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0
50
100
150
200
250
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
10,000
1,000
Ciss
100
10
100μs
Coss
1ms
100
1
10
Crss
0.1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
10ms
100ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFZ520N075T2 | MOSFET N-CH 75V 465A DE-475 |
| IXGA4N100 | IGBT 8A 1000V TO-263AA |
| IXGH32N100A3 | IGBT 75A 1000V TO-247AD |
| IXKC13N80C | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 |
| IXKC15N60C5 | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX98N50P3 | 功能描述:MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFY4N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFY5N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFZ11N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFZ12N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。