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参数资料
| 型号： | IXGL200N60B3 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | IXGL200N60B3 |
2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
IXGL200N60B3
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
VCE - Volts
I C
-
A
m
per
es
VGE = 15V
11V
9V
7V
5V
6V
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25C
0
50
100
150
200
250
300
350
0
1234
56789
VCE - Volts
I C
-
A
m
per
es
VGE = 15V
11V
9V
5V
6V
7V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
VCE - Volts
I C
-
A
m
p
e
re
s
VGE = 15V
13V
11V
7V
5V
9V
Fig. 4. Dependence of VCE(sat) on
Junction Temperature
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
1.25
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ - Degrees Centigrade
V
CE(
sa
t)-
N
o
rm
a
liz
e
d
VGE = 15V
I C = 200A
I C = 150A
I C = 100A
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter Voltage
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
3.4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
VGE - Volts
V
CE
-
V
o
lts
I C = 200A
150A
100A
TJ = 25C
Fig. 6. Input Admittance
0
20
40
60
80
100
120
140
160
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
VGE - Volts
I C
-
A
m
per
es
TJ = 125C
25C
- 40C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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