参数资料
型号: IXGL200N60B3
厂商: IXYS CORP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件页数: 6/6页
文件大小: 211K
代理商: IXGL200N60B3
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGL200N60B3
IXYS REF: G_200N60B3(97)3-28-08-A
Fig. 19. Inductive Turn-on
Switching Times vs. Collector Current
30
40
50
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70
80
90
50
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100
IC - Amperes
t r
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N
anos
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-
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onds
t r
td(on) - - - -
RG = 1 , VGE = 15V
VCE = 300V
TJ = 25C, 125C
Fig. 20. Inductive Turn-on
Switching Times vs. Junction Temperature
30
40
50
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25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
TJ - Degrees Centigrade
t r
-
N
ano
se
conds
36
38
40
42
44
46
48
t
d(
on
) -
N
anos
ec
onds
t r
td(on) - - - -
RG = 1 , VGE = 15V
VCE = 300V
I C = 50A
I C = 100A
Fig. 18. Inductive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
30
50
70
90
110
130
150
12
345
678
9
10
RG - Ohms
t r
-
N
anos
ec
onds
20
40
60
80
100
120
140
t
d(
on
) -
N
anos
ec
onds
t r
td(on) - - - -
TJ = 125C, VGE = 15V
VCE = 300V
I C = 100A
I C = 50A
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PDF描述
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参数描述
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IXGL75N250 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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