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参数资料
| 型号： | IXGL200N60B3 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | IXGL200N60B3 |
2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
IXGL200N60B3
Fig. 12. Inductive Switching
Energy Loss vs. Gate Resistance
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
12
345
678
9
10
RG - Ohms
E
of
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M
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o
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0.5
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Eoff
Eon - - - -
TJ = 125C , VGE = 15V
VCE = 300V
I C = 100A
I C = 50A
Fig. 17. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
120
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TJ - Degrees Centigrade
t f
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N
anos
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t
d
(o
ff)
-
N
anos
ec
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t f
td(off) - - - -
RG = 1, VGE = 15V
VCE = 300V
I C = 50A, 100A
Fig. 15. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
230
240
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260
270
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290
300
310
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1
234
5
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9
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RG - Ohms
t f
-
N
anos
ec
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t
d(
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f) -
N
a
n
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nd
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td(off) - - - -
TJ = 125C, VGE = 15V
VCE = 300V
I C = 100A
I C = 50A
Fig. 13. Inductive Switching
Energy Loss vs. Collector Current
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
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4.0
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IC - Amperes
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0.0
0.3
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1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
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3.0
E
on
-
M
illiJo
u
le
s
Eoff
Eon - - - -
RG = 1 , VGE = 15V
VCE = 300V
TJ = 125C
TJ = 25C
Fig. 14. Inductive Switching
Energy Loss vs. Junction Temperature
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
25
35
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55
65
75
85
95
105
115
125
TJ - Degrees Centigrade
E
of
f-
M
illiJo
u
le
s
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
E
on
-
M
ill
iJ
o
u
le
s
Eoff
Eon - - - -
RG = 1 , VGE = 15V
VCE = 300V
I C = 100A
I C = 50A
Fig. 16. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Collector Current
120
140
160
180
200
220
240
260
280
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IC - Amperes
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-
N
anos
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t
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(o
ff)
-
N
anos
ec
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t f
td(off) - - - -
RG = 1 , VGE = 15V
VCE = 300V
TJ = 125C
TJ = 25C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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