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参数资料
| 型号： | IXGN200N60B3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 300A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.5V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 300A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 26nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
GenX3 TM 600V IGBT
Medium-Speed Low-Vsat PT
IGBT for 5-40kHz Switching
IXGN200N60B3
V CES = 600V
I C110 = 200A
V CE(sat) ≤ 1.50V
SOT-227B, miniBLOC
E153432
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
E
V CES
V CGR
V GES
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C, R GE = 1M Ω
Continuous
600
600
±20
V
V
V
G
V GEM
I C25
Transient
T C = 25°C
±30
300
V
A
C
E
I C110
I LRMS
I CM
T C = 110°C
Terminal Current Limit
T C = 25°C, 1ms
200
200
1200
A
A
A
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
Either Emitter Terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
SSOA
(RBSOA)
V GE = 15V, T VJ = 125°C, R G = 1 Ω
Clamped Inductive Load
I CM = 300
V CE ≤ V CES
A
Features
P C
T J
T JM
T stg
V ISOL
M d
Weight
T C = 25°C
50/60Hz t = 1min
I ISOL ≤ 1mA t = 1s
Mounting Torque
Terminal Connection Torque (M4)
830
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
W
°C
°C
°C
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
International Standard Package
miniBLOC
UL Recognized
Aluminium Nitride Isolation
- High Power Dissipation
Isolation Voltage 3000 V~
Very High Current IGBT
Low V CE(sat) for Minimum on-state
Conduction Losses
MOS Gate Turn-On
- Drive Simplicity
Low Collector-to-Case Capacitance
(< 50 pF)
Low Package Inductance (< 5 nH)
- Easy to Drive and to Protect
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Advantages
V GE(th)
I C
= 250 μ A, V CE = V GE
3.0
5.0
V
High Power Density
I CES
V CE = V CES , V GE = 0V
50 μ A
Low Gate Drive Requirement
I GES
V CE = 0V, V GE = ±20V
T J = 125°C
5 mA
±100 nA
Applications
V CE(sat)
I C
I C
= 100A, V GE = 15V, Note 1
= 200A,
T J = 125°C
1.35
1.65
1.75
1.50
V
V
V
? Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
? Uninterruptible Power Supplies (UPS)
? DC Choppers
? AC Motor Speed Drives
? DC Servo and Robot Drives
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99941B(8/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN200N60B | IGBT FAST 600V 200A SOT-227B |
| IXGN400N30A3 | IGBT 300V SOT-227B |
| IXGN400N60A3 | IGBT 400A 600V SOT-227B |
| IXGN400N60B3 | IGBT 600V 430A SOT-227 |
| IXGN50N120C3H1 | IGBT 1200V 95A SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN320N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 320 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N30A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60B3 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN40N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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