- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录625 > IXGN200N60B3 (IXYS)IGBT 300A 600V SOT-227B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXGN200N60B3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 300A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.5V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 300A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 26nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN200N60B3
Fig. 12. Inductive Switching
Energy Loss vs. Gate Resistance
Fig. 13. Inductive Switching
Energy Loss vs. Collector Current
4.5
3.5
5.0
3.0
4.0
I
C
= 100A
3.0
4.5
4.0
E off E on ----
R G = 1 ? , V GE = 15V
V CE = 300V
2.7
2.4
3.5
2.5
3.5
3.0
T J = 125oC
2.1
1.8
3.0
E off E on - ---
T J = 125oC , V GE = 15V
V CE = 300V
2.0
2.5
2.0
1.5
1.2
2.5
1.5
1.5
T J = 25oC
0.9
2.0
I C = 50A
1.0
1.0
0.6
0.5
0.3
1.5
0.5
0.0
0.0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
R G - Ohms
Fig. 14. Inductive Switching
Energy Loss vs. Junction Temperature
I C - Amperes
Fig. 15. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
4.5
2.7
330
1300
4.0
3.5
E off E on ----
R G = 1 ? , V GE = 15V
V CE = 300V
2.4
2.1
320
310
t fi t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GE = 15V
V CE = 300V
1200
1100
I C = 100A
300
1000
3.0
1.8
290
I
C
= 100A
900
2.5
2.0
1.5
1.2
280
270
800
700
1.5
1.0
I C = 50A
0.9
0.6
260
250
240
I
C
= 50A
600
500
400
0.5
0.3
230
300
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T J - Degrees Centigrade
Fig. 16. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Collector Current
R G - Ohms
Fig. 17. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
320
300
500
480
360
t f i
t d(off) - - - -
520
280
260
240
220
200
180
160
t fi
t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GE = 15V
V CE = 300V
T J = 125oC
T J = 25oC
460
440
420
400
380
360
340
320
280
240
200
160
R G = 1 ? , V GE = 15V
V CE = 300V
I C = 50A, 100A
480
440
400
360
320
140
320
120
300
120
280
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
I C - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T J - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN200N60B | IGBT FAST 600V 200A SOT-227B |
| IXGN400N30A3 | IGBT 300V SOT-227B |
| IXGN400N60A3 | IGBT 400A 600V SOT-227B |
| IXGN400N60B3 | IGBT 600V 430A SOT-227 |
| IXGN50N120C3H1 | IGBT 1200V 95A SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN320N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 320 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N30A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60B3 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN40N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。