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参数资料
| 型号： | IXGN200N60B |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT FAST 600V 200A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFAST™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.1V @ 15V，120A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 200µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 11nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
HiPerFAST TM IGBT
IXGN 200N60B
V CES
I C25
V CE(sat)
= 600 V
= 200 A
= 2.1 V
E
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
SOT-227B, miniBLOC
V CES
V CGR
V GES
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GE = 1 M ?
Continuous
600
600
± 20
V
V
V
G
E
V GEM
I C25
I L
Transient
T C = 25 ° C
Terminal Current Limit
± 30
200
100
V
A
A
C
E
I C90
I CM
SSOA
(RBSOA)
P C
T J
T JM
T C = 90 ° C
T C = 25 ° C, 1 ms
V GE = 15 V, T VJ = 125 ° C, R G = 2.4 ?
Clamped inductive load, L = 30 μ H
T C = 25 ° C
120
400
I CM = 200
@ 0.8 V CES
600
-55 ... +150
150
A
A
A
W
° C
° C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
either emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
Features
International standard package
miniBLOC
Aluminium nitride isolation
T stg
V ISOL
M d
Weight
50/60 Hz t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t=1s
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
-55 ... +150 ° C
2500 V~
3000 V~
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
30 g
- high power dissipation
Isolation voltage 3000 V~
Very high current, fast switching IGBT
Low V CE(sat)
- for minimum on-state conduction
losses
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Low collector-to-case capacitance
(< 50 pF)
Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
AC motor speed control
BV CES
I C
= 1 mA , V GE = 0 V
600
V
DC servo and robot drives
DC choppers
V GE(th)
I C
= 1 mA, V CE = V GE
2.5
5.5
V
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
I CES
I GES
V CE = V CES
V GE = 0 V
V CE = 0 V, V GE = ± 20 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
200
2
± 400
μ A
mA
nA
power supplies
Advantages
Easy to mount with 2 screws
V CE(sat)
I C
= I C90 , V GE = 15 V
2.1
V
Space savings
High power density
? 2004 IXYS All rights reserved
DS98606B(08/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN400N30A3 | IGBT 300V SOT-227B |
| IXGN400N60A3 | IGBT 400A 600V SOT-227B |
| IXGN400N60B3 | IGBT 600V 430A SOT-227 |
| IXGN50N120C3H1 | IGBT 1200V 95A SOT-227 |
| IXGN50N60B | IGBT 75A 600V SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN200N60B3 | 功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN320N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 320 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N30A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60B3 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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