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参数资料
| 型号： | IXGN200N60B |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT FAST 600V 200A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFAST™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.1V @ 15V，120A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 200µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 11nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN
200N60B
350
Fig. 13. De pende nce of Turn-off
Sw itching Tim e on Tem perature
16
Fig. 14. Gate Charge
300
250
I C = 50A
I C = 100A
t d(off) , t fi - - - - -
R G = 2.7 ? , V GE = 15V
V CE = 480V
14
12
10
V CE = 300V
I C = 100A
I G = 10mA
200
150
8
6
100
50
I C = 100A
50A
4
2
0
25
35
45 55 65 75 85 95
T J - Degrees Centigrade
105 115 125
0
100
200 300
Q G - nanoCoulombs
400
500
100000
10000
Fig. 15. Capacitance
f = 1 MHz
C ies
220
200
180
160
140
120
100
Fig. 16. Re vers e-Bias Safe
Ope rating Area
1000
100
C oes
C res
80
60
40
20
0
T J = 125 o C
R G = 2.7 ?
dV/dT < 5V/ns
0
5
10
15 20 25
V C E - Volts
30
35
40
100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600
V C E - Volts
Fig. 17. Maxim um Transient Therm al Resistance
1
0.1
0.01
1
10
Pulse Width - milliseconds
100
1000
? 2004 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN400N30A3 | IGBT 300V SOT-227B |
| IXGN400N60A3 | IGBT 400A 600V SOT-227B |
| IXGN400N60B3 | IGBT 600V 430A SOT-227 |
| IXGN50N120C3H1 | IGBT 1200V 95A SOT-227 |
| IXGN50N60B | IGBT 75A 600V SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN200N60B3 | 功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN320N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 320 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N30A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60B3 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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