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参数资料
| 型号： | IXGN200N60B |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT FAST 600V 200A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFAST™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.1V @ 15V，120A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 200µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 11nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN
200N60B
160
140
Fig. 7. Transconductance
10
9
Fig. 8. Dependence of Turn-off
Energy Loss on R G
T J = 125 o C
120
100
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
8
7
6
V GE = 15V
V CE = 480V
I C = 100A
80
5
60
40
20
4
3
2
I C = 50A
0
0
20
40
60 80 100 120
I C - Amperes
140
160
180
1
2
3
4
5 6
R G - Ohms
7
8
9
10
5
Fig. 9. Dependence of Turn-Off
Energy Loss on I C
6
Fig. 10. Dependence of Turn-off
Energy Loss on Tem perature
5
4
4
R G = 2.7 ?
V GE = 15V
V CE = 480V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
5
5
4
4
R G = 2.7 ?
V GE = 15V
V CE = 480V
I C = 100A
3
3
3
2
2
3
2
2
1
I C = 50A
50
55
60
65
70 75 80
I C - Amperes
85
90
95
100
25
35
45
55 65 75 85 95
T J - Degrees Centigrade
105 115 125
Fig. 11. Dependence of Turn-off
Fig. 12. Dependence of Turn-off
700
Sw itching Tim e on R G
350
Sw itching Tim e on I C
t d(off)
600
t fi - - - - - -
T J = 125oC
I C = 50A
100A
300
t d(off)
500
400
300
V GE = 15V
V CE = 480V
I C = 100A
250
200
150
t fi - - - - -
R G = 2.7 ?
V GE = 15V
V CE = 480V
T J = 25 o C
T J = 125 o C
50A
200
100
100
50
2
3
4
5 6
R G - Ohms
7
8
9
10
50
60
70 80
I C - Amperes
90
100
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
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PDF描述 |
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