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参数资料
| 型号： | IXGN200N60B |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT FAST 600V 200A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFAST™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.1V @ 15V，120A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 200µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 11nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN
200N60B
150
Fig. 1. Output Characte ristics
@ 25 o C
V GE = 15V
300
Fig. 2. Extended Output Characte ristics
@ 25 o C
V GE = 15V
125
100
13V
11V
9V
250
200
13V
11V
9V
75
150
50
7V
100
7V
25
0
5V
50
0
5V
0.6
0.8
1
1.2 1.4 1.6
V C E - Volts
1.8
2
2.2
2.4
0
0.5
1
1.5 2 2.5
V C E - Volts
3
3.5
4
150
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
1.2
Fig. 4. Dependence of V CE(sat) on
Tem perature
125
V GE = 15V
13V
11V
9V
1.2
1.1
V GE = 15V
I C = 150A
100
1.1
75
50
25
0
7V
5V
1.0
1.0
0.9
0.9
0.8
0.8
0.7
I C = 100A
I C = 50A
0.6
0.8
1
1.2
1.4 1.6
V CE - Volts
1.8
2
2.2
2.4
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
3.6
Fig. 5. Collector-to-Em itter Voltage
vs. Gate-to-Em itter voltage
180
Fig. 6. Input Adm ittance
3.4
3.2
3
I C = 150A
T J = 25 o C
160
140
120
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
100A
50A
100
80
60
40
20
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
6
7
8
9
10 11
V G E - Volts
12
13
14
15
4
4.5
5
5.5 6 6.5
V G E - Volts
7
7.5
8
? 2004 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN400N30A3 | IGBT 300V SOT-227B |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN200N60B3 | 功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN320N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 320 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N30A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60B3 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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