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参数资料
| 型号： | IXGN200N60B3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 300A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.5V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 300A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 26nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN200N60B3
Fig. 1. Output Characteristics
Fig. 2. Extended Output Characteristics
200
160
120
80
@ T J = 25oC
V GE = 15V
11V
9V
7V
6V
350
300
250
200
150
100
V GE = 15V
11V
9V
7V
6V
@ T J = 25oC
40
0
5V
50
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V CE - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
V CE - Volts
Fig. 4. Dependence of V CE(sat) on
200
@ T J =125oC
V GE = 15V
13V
1.25
1.20
V GE = 15V
Junction Temperature
160
11V
9V
1.15
I
C
= 200A
1.10
120
7V
1.05
I
C
= 150A
80
1.00
40
0
5V
0.95
0.90
0.85
0.80
I
C
= 100A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V CE - Volts
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter Voltage
160
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Input Admittance
3.0
T J = 25oC
140
2.6
I
C
= 200A
120
100
T J = 125oC
25oC
- 40oC
150A
2.2
1.8
1.4
1.0
100A
80
60
40
20
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
V GE - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V GE - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN200N60B | IGBT FAST 600V 200A SOT-227B |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN320N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 320 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N30A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60B3 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN40N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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