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参数资料
| 型号： | IXGN60N60C2D1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 75A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFAST™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 650µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.75nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
HiPerFAST TM IGBTs
with Diode
C2-Class High Speed IGBTs
IXGN60N60C2
IXGN60N60C2D1
V CES =
I C110 =
V CE(sat) ≤
t rr =
600V
60A
2.5V
35ns
E
60C2
E
60C2D1
SOT-227B, miniBLOC
E153432
E
Symbol
V CES
V CGR
Test Conditions
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C, R GE = 1 M Ω
Maximum Ratings
600
600
V
V
G
V GES
V GEM
Continuous
Transient
±20
±30
V
V
C
E
I C25
I C110
I CM
SSOA
(RBSOA)
P C
T J
T JM
T C = 25°C (Limited by Leads)
T C = 110°C
T C = 25°C, 1 ms
V GE = 15 V, T VJ = 125°C, R G = 10 Ω
Clamped Inductive Load
T C = 25°C
75
60
300
I CM = 100
@ V CE ≤ 600
480
-55 ... +150
150
A
A
A
A
V
W
°C
°C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
Either Emitter Terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
Features
International Standard Package
miniBLOC
Aluminium Nitride Isolation
- High Power Dissipation
Anti-Parallel Ultra Fast Diode
T stg
V ISOL
50/60 Hz
I ISOL ≤ 1 mA
t = 1 min
t=1s
-55 ... +150
2500
3000
°C
V~
V~
Isolation Voltage 3000 V~
Low V CE(sat) for Minimum On-State
Conduction Losses
MOS Gate Turn-on
M d
Weight
Mounting Torque
Terminal Connection Torque (M4)
1.5/13
1.3/11.5
30
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
- Drive Simplicity
Low Collector-to-Case Capacitance
(< 50 pF)
Low Package Inductance (< 5 nH)
- Easy to Drive and to Protect
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
AC Motor Speed Control
DC Servo and Robot Drives
DC Choppers
V GE(th)
I CES
I GES
V CE(sat)
I C = 250 μ A, V CE = V GE
V CE = V CES
V GE = 0V
V CE = 0V, V GE = ±20V
I C = 50A, V GE = 15V, Note 1
T J = 125°C
T J = 125°C
3.0
2.1
1.8
5.0
650
5
±100
2.5
V
μ A
mA
nA
V
V
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
Advantages
Easy to Mount with 2 Screws
Space Savings
High Power Density
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99177A(01/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 284M-36 R/B | LEAD TEST MINI-ALLIG 36" RED/BLK |
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| 3781-12-5 | CORD MINIGRABBER PATCH 12" GREEN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXGN80N60A2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN82N120B3H1 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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