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参数资料
| 型号： | IXGN60N60C2D1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 75A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFAST™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 650µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.75nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN60N60C2
IXGN60N60C2D1
100
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
200
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
90
80
V G E = 15V
13V
11V
9V
175
V G E = 15V
13V
11V
9V
150
70
60
50
7V
125
100
40
30
20
75
50
7V
10
0
5V
25
0
5V
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
100
V CE - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
1.2
V CE - Volts
Fig. 4. T emperature Dependence of V CE(sat)
90
V G E = 15V
13V
9V
1.1
80
70
60
50
40
30
11V
7V
5V
1
0.9
0.8
0.7
V G E = 15V
I C = 100A
I C = 50A
20
10
0
0.6
0.5
I C = 25A
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
25
50
75
100
125
150
5
V CE - Volts
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter voltage
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Input Admittance
4.5
4
3.5
3
T J = 25 o C
175
150
125
100
2.5
2
1.5
1
I C = 100A
50A
25A
75
50
25
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
V GE - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V GE - Volts
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