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参数资料
| 型号： | IXGN60N60C2D1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 75A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFAST™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 650µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.75nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN60N60C2
IXGN60N60C2D1
160
4000
80
A
140
nC
T VJ = 100°C
V R = 300V
A
T VJ = 100°C
V R = 300V
I F
120
100
80
T VJ = 150°C
100°C
25°C
Q r
3000
2000
I F = 120A, 60A, 30A
I RM
60
40
I F = 120A, 60A, 30A
60
40
20
1000
20
0
0
1
2
V
0
100
A/ μ s 1000
0
0
200
400
600
A/ μ s
800 1000
V F
Fig. 13. Forward Current I F Versus V F
-di F /dt
Fig. 14. Reverse Recorvery Charge Q r
Versus -di F /dt
-di F /dt
Fig. 15. Peak Reverse Current I RM
Versus -di F /dt
2.0
140
20
1.6
K f
1.5
t rr
ns
130
120
T VJ = 100°C
V R = 300V
V
V FR
15
T VJ = 100°C
I F = 60A
t rr
V FR
μ s
1.2
t fr
1.0
I RM
110
I F = 30A, 60A, 120A
10
0.8
100
0.5
Q RM
90
5
0.4
0.0
0
40
80
120 °C 160
80
0
200
400
600
A/ μ s
800
1000
0
0
200
400
600
0.0
A/ μ
800s 1000
1
T VJ
Fig. 16. Dynamic Paraments Q r, I RM
Versus T vJ
1.000
K/W
0.1
Z thJC
0.100
0.01
0.001 0.010
-di F /dt
Fig. 17. Recorvery Time t rr Versus
-di F /dt
di F /dt
Fig. 18. Peak Forward Voltage V RM
and t rr Versus -di F /dt
0.0001
0.00001
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
D SEP 2x61-06A
s 1
Fig. 27. Maximum Transient Thermal Impeadance Juection to Case [ (for ] Diode)
0.0001 0.001 0.01 0.1
Pulse Width s
Fig. 27. Maximum Transient Thermal Impedance (for diode)
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
1
10
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