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参数资料
| 型号： | IXGN60N60C2D1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 75A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFAST™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 650µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.75nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN60N60C2
IXGN60N60C2D1
100
Fig. 7. T ransconductance
6
Fig. 8. Dependence of E off on R G
90
80
70
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
5
4
T J = 125 o C
V GE = 15V
V CE = 400V
I C = 100A
60
50
3
I C = 75A
40
30
20
10
0
2
1
0
I C = 50A
I C = 25A
0
25
50
75
100
125
150
175
200
2
4
6
8
10
12
14
16
5
I C - Amperes
Fig. 9. Dependence of E off on I C
5
R G - Ohms
Fig. 10. Dependence of E off on T emperature
R G = 2 Ohms
R G = 10 Ohms - - - - -
R G = 2 Ohms
R G = 10 Ohms - - - - -
I C = 100A
4
V G E = 15V
V C E = 400V
T J = 125 o C
4
V G E = 15V
V C E = 400V
3
3
I C = 75A
2
1
T J = 25 o C
2
1
I C = 50A
0
0
I C = 25A
20
30
40
50
60
70
80
90
100
25
50
75
100
125
10000
15
I C - Amperes
Fig. 11. Gate Charge
V C E = 300V
10,000
T J - Degrees Centigrade
Fig. 12. Capacitance
Fig. 12. Capacitance
f = 1M Hz
12
I C = 50A
I G = 10mA
Cies
C ies
1000
1,000
9
Coes C oes
6
100
3
0
10 0
f = 1 MHz
Cres
C res
15
20 25
30
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0 0
5 5
10
15
20 25
30
35 35
40 40
V CE - Volts
V
Q G - nanoCoulombs
CE
- Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions and Dimensions.
IXYS REF: G_60N60C2(7Y)12-11-08-A
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PDF描述 |
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参数描述 |
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