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参数资料
| 型号： | IXGN60N60C2D1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 75A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFAST™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 650µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.75nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN60N60C2
IXGN60N60C2D1
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
SOT-227B miniBLOC
g fs
C ies
C oes
C res
Q g
Q ge
Q gc
t d(on)
t ri
I C = 50A, V CE = 10V, Note 1
V CE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz
I C = 50A, V GE = 15V, V CE = 0.5 ? V CES
Inductive load, T J = 25°C
40
58
4750
530
65
146
28
50
18
25
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
t d(off)
t fi
E off
t d(on)
t ri
E on
t d(off)
t fi
E off
I C = 50A, V GE = 15 V
V CE = 400V, R G = 2 Ω
Inductive load, T J = 125°C
I C = 50A, V GE = 15V
V CE = 400V, R G = 2 Ω
95
35
0.48
18
25
0.90
130
80
1.20
150
0.80
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
R thJC
0.26 °C/W
R thCS
Reverse Diode (FRED)
0.05
°C/W
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C, Unless Oherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
V F
I RM
I F = 60A, V GE = 0V, Note 1
I F = 60A, -di/dt = 100A/ μ s,
T J = 150°C
T J = 100°C
1.4
2.1
8.3
V
V
A
t rr
R thJC
V R = 100V, V GE = 0V,
I F = 1A, -di/dt = 200A/ μ s, V R = 30V,V GE = 0V
35
ns
0.85 °C/W
Note 1: PulseTest, t ≤ 300 μ s, Duty Cycle, d ≤ 2%.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
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