- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20425 > IXS839BQ2T/R (IXYS)IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXS839BQ2T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN |
| 标准包装： | 2,000 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 24V |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 10-QFN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXYS
Pin Description and Configurations
IXS839 / IXS839A / IXS839B
IXS839
1
2
IXS839A
3
5
IXS839B
10
2
Name
BST
PWM
Description
Upper Gate Driver Floating DC Power Terminal for Bootstrap
Capacitor Connection.
TTL-level Input Signal with active pull-down. PWM input to the
Gate Drivers.
Terminal for External Delay Capacitor Connection. Capacitor
3
7
4
DLY
to Ground at this pin adds propagation delay from Lower Gate
Driver going Low to the Upper Gate Driver going High.
t DLY (nS) = C DLY (pF) x (0.5nS/pF)
4
5
6
7
8
N/A
N/A
8
9
10
1
2
4
6
5
6
7
8
9
1
3
VDD
LGD
PGND
SW
HGD
__
SD
___
LSD
Positive Supply Terminal for Logic and Lower Gate Driver. A
ceramic bypass capacitor of 1uF should be connected from
VDD to PGND.
Lower Gate Driver Output Terminal
Lower Gate Driver DC Power Return Terminal, Logic and
Analog Ground
Upper Gate Driver Floating DC Power Return Terminal
Upper Gate Driver Output Terminal
TTL-level Shut Down Input Signal with active pull-up.
SD enables normal operation when high. When SD is low,
the driver outputs are forced low and I DD is at its minimum.
TTL-level Low Side Shut Down Input Signal with active pull-
up. LSD, when low forces the Lower Gate Driver output low.
When LSD is high, the lower Gate Driver output is enabled.
SOIC and QFN Top View Pin Configurations
IXS839AQ2 9
IXS839BQ2 9
BST 1
PWM 2
DLY 3
IXS839S1
8 HGD
7 SW
6 PGND
SW 1
HGD 2
BST 3
SD 4
10 PGND
LGD
8 VDD
7 DLY
SD 1
PWM 2
LSD 3
DLY 4
10 BST
HGD
8 SW
7 PGND
VDD 4
5 LGD
PWM 5
6
LSD
VDD 5
6
LGD
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95Z336M016ESAL | CAP TANT 33UF 16V 20% 2910 |
| 1485E4Q | WIREWAY 45 DEG STEEL 8X8" GREY |
| K2500F1 | SIDAC 240-280VBO 1AMP TO-202 |
| NCP1027ATXGEVB | BOARD EVAL NCP1027 10W STANDBY |
| R1S12-2405/H | CONV DC/DC 1W 24VIN 05VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXS839S1 | 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXS839S1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXSA10N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 10 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSA12N60AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-263AA |
| IXSA15N120B | 功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。