- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20425 > IXS839BQ2T/R (IXYS)IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXS839BQ2T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN |
| 标准包装： | 2,000 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 24V |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 10-QFN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXYS
Electrical Characteristics
Power Supply Terminals
IXS839 / IXS839A / IXS839B
T A = -40°C to 85°C, V DD = 5V, 4 V < V BST < 26V
Parameter
Analog Supply
Voltage Range
High Gate Driver
Supply Voltage Range
Low Gate Driver
Supply Voltage Range
Floating Supply
Voltage Range
Analog Supply
Current
High Gate Driver
Supply Current
Analog Supply
Current
High Gate Driver
Supply Current
Symbol
V DD
I DD
I BST
I DD_Shutdown
I BST_Shutdown
Conditions
V DD
V BST - V SW
V DD - V PGND
V SW - V PGDN
Normal Mode
PWM = V PGND
Normal Mode
PWM = V PGND
Shut Down Mode, LSD = V DD ,
SD = PWM = V PGND
Shu t Down Mode
LSD = PWM = V PGND
IXS839/839B
IXS839A
IXS839/839B
IXS839A
Min
4.5
4.5
4.5
0.0
Typ
2
0.5
10
50
<1
Max
5.5
5.5
5.5
24.0
4
1
1.5
10
Unit
V
V
V
V
mA
mA
μ A
μ A
Digital Input Terminals
T A = -40°C to 85°C, V DD = 5V, 4V < V BST < 26V
Parameter
Input Leakage Current
Input pull-down Current
Input pull-up Current
Input pull-up Current
Symbol
I IN
Conditions
PWM = V PGND
LSD = SD = V DD
PWM = V DD
__
SD = V PGND
___
LSD = V PGND
Min
-1
2
-2
-2
Typ
10
-10
-10
Max
1
100
-100
-100
Unit
μ A
μ A
μ A
μ A
Minimum High Level
Input Voltage
Maximum Low Level
Input Voltage
V IH
V IL
2.0
0.8
V
V
UVLO Circuit
T A = -40°C to 85°C, V DD = 5V, 4V < V BST < 26V
Parameter
V DD Rising Threshold
V DD Falling Threshold
Symbol
UVOL RISE
UVOL FALL
Conditions
Min
4.2
3.9
Typ
4.4
4.25
Max
4.5
4.5
Unit
V
V
Delay Circuit
T A = -40°C to 85°C, V DD = 5V, 4V < V BST < 26V
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Upper Gate-Driver Turn
on Delay Time with
respect to external delay
t DLY
Capacitor C DLY (pF) from DLY
pin to PGND
0.5
nS/pF
capacitor
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95Z336M016ESAL | CAP TANT 33UF 16V 20% 2910 |
| 1485E4Q | WIREWAY 45 DEG STEEL 8X8" GREY |
| K2500F1 | SIDAC 240-280VBO 1AMP TO-202 |
| NCP1027ATXGEVB | BOARD EVAL NCP1027 10W STANDBY |
| R1S12-2405/H | CONV DC/DC 1W 24VIN 05VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXS839S1 | 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXS839S1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXSA10N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 10 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSA12N60AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-263AA |
| IXSA15N120B | 功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。