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参数资料
| 型号： | IXS839BQ2T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN |
| 标准包装： | 2,000 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 24V |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 10-QFN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXYS
Electrical Characteristics
High Side Gate Driver Circuit
IXS839 / IXS839A / IXS839B
T A = -40°C to 85°C, V DD = 5V, 4V < V BST < 26V
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
High Side Gate-Driver
On-Resistance, Sourcing
Current
R HGD_SRC
V BST – V SW = 4.6V
2.2
?
High Side Gate-Driver
On-Resistance, Sinking
Current
High Side Gate-Driver (1)
Rise-Time
High Side Gate-Driver (1)
Fall-Time
Propagation Delay (1)
R HGD_SNK
t R_HGD
t F_HGD
t PD_HGD1
t PD_HGD2
V BST – V SW = 4.6V
C LOAD = 3nF
T R_HGD measured from 10% to
90% of (V HGD - V SW )
C LOAD = 3nF
T F_HGD measured from 90% to
10% of (V HGD - V SW )
C LOAD_HGD = C LOAD_LGD = 3nF
C DLY = 0pF
1.2
20
15
35
50
?
nS
nS
nS
nS
Low Side Gate Driver Circuit
T A = -40°C to 85°C, V DD = 5V, 4V < V BST < 26V
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Low Side Gate-Driver
On-Resistance, Sourcing
Current
R LGD_SRC
V DD – V PGND = 4.6V
2
?
Low Side Gate-Driver
On-Resistance, Sinking
Current
Low Side Gate-Driver (1)
Rise-Time
Low Side Gate-Driver (1)
Fall-Time
Propagation Delay (1)
R LGD_SNK
t R_LGD
t F_LGD
t PD_LGD1
t PD_LGD2
V DD – V PGND = 4.6V
C LOAD = 3nF
T R_LGD measured from 10% to
90% of (V LGD – V PGND )
C LOAD = 3nF
T F_LGD measured from 90% to
10% of (V LGD - V SW )
C LOAD_HGD = C LOAD_LGD = 3nF
C DLY = 0pF
1
18
12
60
20
?
nS
nS
nS
nS
Shut Down Circuit Characteristics
T A = -40°C to 85°C, V DD = 5V, 4V < V BST < 26V
Parameter
Propagation Delay (2)
Propagation Delay (2)
Propagation Delay (3)
Propagation Delay (3)
Symbol
t PD_LGDSD1
t PD_LGDSD2
t PD_GDSD1
t PD_GDSD2
Conditions
Min
Typ
25
10
400
800
Max
50
20
800
1200
Unit
nS
nS
nS
nS
*Notes:
(1) See Timing Diagram in Figure 4
(2) See Timing Diagram in Figure 5
(3) See Timing Diagram in Figure 6
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95Z336M016ESAL | CAP TANT 33UF 16V 20% 2910 |
| 1485E4Q | WIREWAY 45 DEG STEEL 8X8" GREY |
| K2500F1 | SIDAC 240-280VBO 1AMP TO-202 |
| NCP1027ATXGEVB | BOARD EVAL NCP1027 10W STANDBY |
| R1S12-2405/H | CONV DC/DC 1W 24VIN 05VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXS839S1 | 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXS839S1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXSA10N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 10 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSA12N60AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-263AA |
| IXSA15N120B | 功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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