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参数资料
| 型号： | IXSN50N60BD3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 75A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 350µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 3.85nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXSN 50N60BD2
IXSN 50N60BD3
100
160
T J = 25 ° C
V GE = 15V
13V
T J = 25 ° C
V GE = 15V
80
60
40
11V
120
80
13V
11V
40
20
9V
9V
0
0
2
4
6
8
7V
10
0
0
4
8
12
16
20
V CE - Volts
Figure 1. Saturation Voltage Characteristics
V CE - Volts
Figure 2. Extended Output Characteristics
100
80
T J = 125 ° C
V GE = 15V
13V
1.6
1.4
V GE = 15V
I C = 100A
1.2
60
40
20
11V
9V
1.0
0.8
0.6
I C = 50A
I C = 25A
7V
0
0.4
0
2
4
6
8
10
25
50
75
100
125
150
V CE - Volts
Figure 3. Saturation Voltage Characteristics
T J - Degrees C
Figure 4. Temperature Dependence of V CE(sat)
100
80
V CE = 10V
10000
C iss
f = 1Mhz
1000
60
40
20
0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
100
10
C oss
C rss
4
6
8
10
12
14
16
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V GE - Volts
Figure 5. Admittance Curves
? 2000 IXYS All rights reserved
V CE -Volts
Figure 6. Capacitance Curves
3-5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSN52N60AU1 | IGBT FRD 600V 80A SCSOA SOT227B |
| IXSN55N120AU1 | IGBT 80A 1200V SOT-227B |
| IXSN55N120A | IGBT 1200V SCSOA SOT-227B |
| IXSN62N60U1 | IGBT 90A 600V SOT-227B |
| IXSN80N60BD1 | IGBT 600V SCSOA SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXSN50N60U1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
| IXSN51N60AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
| IXSN52N60AU1 | 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V 3.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSN55N100U1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 61A I(C) | SOT-227B |
| IXSN55N120 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT |
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