- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录625 > IXSN50N60BD3 (IXYS)IGBT 75A 600V SOT-227B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXSN50N60BD3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 75A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 350µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 3.85nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXSN 50N60BD2
IXSN 50N60BD3
60
A
1000
T VJ = 100 ° C
nC V R = 300V
30
A
T VJ = 100 ° C
V R = 300V
I F
50
40
T VJ =150 ° C
800
Q r
600
I F = 60A
I F = 30A
I RM
25
20
I F = 60A
I F = 30A
I F = 15A
30
20
T VJ =100 ° C
400
15
10
10
0
T VJ =25 ° C
200
0
5
0
0
1
2
3 V
100
A/ s 1000
0
200
400
600
A/ s
800 1000
V F
Fig. 12 Forward current I F versus V F
-di F /dt
Fig. 13 Reverse recovery charge Q r
versus -di F /dt
-di F /dt
Fig. 14 Peak reverse current I RM
versus -di F /dt
2.0
90
T VJ = 100 ° C
20
T VJ = 100 ° C
1.00
1.5
t rr
ns
V R = 300V
V
V FR
15
I F = 30A
V FR
μ s
t fr
0.75
K f
80
I F = 60A
t fr
1.0
I RM
I F = 30A
I F = 15A
10
0.50
70
0.5
Q r
5
0.25
0.0
60
0
0.00
0
40
80
120 ° C 160
0
200
400
600
A/ s
800 1000
0
200
400
600
A/
800s 1000
T VJ
Fig. 15 Dynamic parameters Q r , I RM
versus T VJ
-di F /dt
Fig. 16 Recovery time t rr versus -di F /dt
di F /dt
Fig. 17 Peak forward voltage V FR and t fr
versus di F /dt
1
Constants for Z thJC calculation:
K/W
i
R thi (K/W)
t i (s)
0.1
Z thJC
1
2
3
0.465
0.179
0.256
0.0052
0.0003
0.0396
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
s
DSEC 60-06B
1
t
? 2000 IXYS All rights reserved
5-5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSN52N60AU1 | IGBT FRD 600V 80A SCSOA SOT227B |
| IXSN55N120AU1 | IGBT 80A 1200V SOT-227B |
| IXSN55N120A | IGBT 1200V SCSOA SOT-227B |
| IXSN62N60U1 | IGBT 90A 600V SOT-227B |
| IXSN80N60BD1 | IGBT 600V SCSOA SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXSN50N60U1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
| IXSN51N60AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
| IXSN52N60AU1 | 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V 3.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSN55N100U1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 61A I(C) | SOT-227B |
| IXSN55N120 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。