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参数资料
| 型号： | IXTA90N055T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.8 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 61nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 176W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA90N055T
IXTP90N055T
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
90
80
70
60
50
V GS = 10V
9V
8V
7V
320
280
240
200
V GS = 10V
9V
8V
160
40
30
20
10
0
6V
5V
120
80
40
0
7V
6V
5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
90
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 45A Value
vs. Junction Temperature
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10V
I D = 90A
I D = 45A
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 45A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.4
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
80
External Lead Current Limit
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
70
60
50
40
30
20
1
0.8
T J = 25oC
10
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA90N075T2 | MOSFET N-CH 75V 90A TO-263 |
| IXTA98N075T | MOSFET N-CH 75V 98A TO-263 |
| IXTB62N50L | MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264 |
| IXTC110N25T | MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220 |
| IXTC13N50 | MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA90N055T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA90N075T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA90N15T | 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA96P085T | 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA96P085TTRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 85V 96A TO-263 |
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