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参数资料
| 型号： | IXTC26N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 260 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXTC 26N50P
26
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
60
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
26
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.1
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 13A Value
v s. Junction Temperature
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
7V
6V
5V
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
V GS = 10V
I D = 26A
I D = 13A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 13A Value
v s. Drain Current
16
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current v s.
Case Temperature
3
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T J - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTC280N055T | MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTC75N10 | 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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