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参数资料
| 型号： | IXTH12N120 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 12N120
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-247 AD Outline
g fs
V DS = 20 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
6
10
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
3400
280
pF
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
105
24
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , 0.5 I D25
25
ns
t d(off)
R G = 1.5 ? (External)
35
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
t f
17
ns
Dim.
Millimeter
Inches
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 I D25
95
22
50
nC
nC
nC
Min. Max.
A 4.7 5.3
A 1 2.2 2.54
A 2 2.2 2.6
b 1.0 1.4
Min. Max.
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
R thJC
R thCK
0.25
0.25
K/W
K/W
b 1 1.65 2.13
b 2 2.87 3.12
C .4 .8
D 20.80 21.46
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
I S
I SM
V SD
t rr
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
850
12
48
1.5
A
A
V
ns
S 6.15 BSC
242 BSC
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
6,404,065B1
6,162,665
6,534,343 6,583,505
of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
6,306,728B1
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH12N90 | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 |
| IXTH130N10T | MOSFET N-CH 100V 130A TO-247 |
| IXTH130N15T | MOSFET N-CH 150V 130A TO-247 |
| IXTH130N20T | MOSFET N-CH 200V 130A TO-247 |
| IXTH13N110 | MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH12N140 | 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH12N150 | 功能描述:MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH12N45 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM |
| IXTH12N45A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247 |
| IXTH12N45MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247(5) |
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