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参数资料
| 型号： | IXTH12N120 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 12N120
12
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
20
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
11
10
9
8
V GS = 10V
8V
7.5V
7V
18
16
14
V GS = 10V
8V
6.5V
7
12
6
5
4
3
2
1
0
6.5V
6V
10
8
6
4
2
0
7V
6.5V
6V
0
2
4
6 8 10
V D S - Volts
12
14
16
18
0
3
6
9
12 15 18
V D S - Volts
21
24
27
30
12
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
3.1
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs . Junction Tem perature
11
10
9
V GS = 10V
8V
7V
2.8
2.5
V GS = 10V
8
7
6
5
4
3
2
1
6.5V
6V
5.5V
5V
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
I D = 12A
I D = 6A
0
0.4
0
4
8
12
16 20 24
V D S - Volts
28
32
36
40
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
Fig. 5. R DS(on) Norm alize d to
Fig. 6. Drain Curre nt vs . Cas e
2.8
2.6
0.5 I D25 Value vs. I D
V GS = 10V
14
12
Tem pe rature
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
T J = 125oC
T J = 25oC
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8 10 12
I D - Amperes
14
16
18
20
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2004 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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