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参数资料
| 型号： | IXTH12N120 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 12N120
16
14
Fig. 7. Input Adm ittance
20
18
Fig. 8. Trans conductance
12
10
8
6
T J = 125oC
16
14
12
10
8
6
T J = -40oC
25oC
125oC
4
2
0
25oC
-40oC
4
2
0
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
36
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source -To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
33
30
27
24
21
18
15
9
8
7
6
5
4
V DS = 600V
I D = 6A
I G = 10mA
12
9
6
3
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6 0.7
V S D - Volts
0.8
0.9
1
0
10
20
30 40 50 60 70
Q G - nanoCoulombs
80
90
100
10000
1000
100
10
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
1.00
0.10
0.01
Fig. 12. Maxim um Trans ient Therm al
Resistance
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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