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参数资料
| 型号： | IXTH15N50L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 15A 500V TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 123nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTA15N50L2 IXTP15N50L2
IXTH15N50L2
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-247 Outline
g fs
V DS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
4.5
6.3
8.0
S
C iss
4080
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 10 Ω (External)
265
68
38
73
110
65
123
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
(TO-220)
(TO-247)
20
72
0.50
0.25
nC
nC
0.42 ° C/W
° C/W
° C/W
1 = Gate
2 = Drain
3 = Source
Safe Operating Area Specification
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
Min. Typ. Max.
SOA
V DS = 400V, I D = 375mA, T C = 75°C, t p = 2s
150
W
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-220 Outline
I S
I SM
V SD
t rr
Note
V GS = 0V
Repetitive, pulse width limited by T JM
I F = 15A, V GS = 0V, Note 1
I F = 15A, -di/dt = 100A/ μ s, V R = 100V, V GS = 0V
1: Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
570
15
60
1.5
A
A
V
ns
TO-263 Outline
Pins:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
1 = Gate
2 = Drain
3 = Source
4 = Drain
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH160N075T | MOSFET N-CH 75V 160A TO-247 |
| IXTH160N15T | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 |
| IXTH16P20 | MOSFET P-CH 200V 16A TO-247 |
| IXTH180N10T | MOSFET N-CH 100V 180A TO-247 |
| IXTH182N055T | MOSFET N-CH 55V 182A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH15N55 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH15N60 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH15N65 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH15N70 | 制造商:INTERFET 制造商全称:INTERFET 功能描述:N-Channel Enhancement Mode |
| IXTH15P15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
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