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参数资料
| 型号： | IXTH15N50L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 15A 500V TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 123nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTA15N50L2 IXTP15N50L2
IXTH15N50L2
18
16
14
Fig. 7. Input Admittance
12
10
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
25oC
12
8
125oC
10
8
6
T J = 125oC
25oC
- 40oC
6
4
4
2
2
0
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
45
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
40
35
14
12
V DS = 250V
I D = 7.5A
I G = 10mA
30
10
25
8
20
15
10
5
0
T J = 125oC
T J = 25oC
6
4
2
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
10,000
1,000
100
10
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
1
0.1
0.01
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH160N075T | MOSFET N-CH 75V 160A TO-247 |
| IXTH160N15T | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH15N55 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH15N60 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH15N65 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH15N70 | 制造商:INTERFET 制造商全称:INTERFET 功能描述:N-Channel Enhancement Mode |
| IXTH15P15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
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