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参数资料
| 型号： | IXTH15N50L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 15A 500V TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 123nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTA15N50L2 IXTP15N50L2
IXTH15N50L2
16
Fig. 1. Output Characteristics @ T J =25oC
V GS = 20V
40
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 20V
14
12
10
12V
10V
9V
8V
35
30
25
14V
12V
10V
9V
8
20
6
4
2
0
7V
6V
5V
15
10
5
0
8V
7V
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10
15
20
25
30
16
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 7.5A Value vs.
Junction Temperature
14
12
V GS = 20V
10V
9V
2.4
V GS = 10V
8V
2.0
I D = 15A
10
I D = 7.5A
8
7V
1.6
6
1.2
4
6V
0.8
2
0
5V
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 7.5A Value vs.
Drain Current
16
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
V GS = 10V
T J = 125oC
14
2.6
12
2.2
10
1.8
8
1.4
T J = 25oC
6
4
1.0
2
0.6
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH160N075T | MOSFET N-CH 75V 160A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXTH15N60 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH15N65 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH15N70 | 制造商:INTERFET 制造商全称:INTERFET 功能描述:N-Channel Enhancement Mode |
| IXTH15P15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
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