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参数资料
| 型号： | IXTH41N25 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 72 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 41N25
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Characteristic values
Min. Typ. Max.
TO-247 AD Outline
g fs
C iss
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
20
28
3200
S
pF
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
510
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
180
19
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
19
ns
t d(off)
t f
R G = 3.6 ? (External)
79
17
ns
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
Q g(on)
110
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
18
48
nC
nC
A 4.7 5.3
A 1 2.2 2.54
A 2 2.2 2.6
.185 .209
.087 .102
.059 .098
b 1.0 1.4
.040 .055
R thJC
R thCK
0.25
0.42 K/W
K/W
b 1 1.65 2.13
b 2 2.87 3.12
C .4 .8
D 20.80 21.46
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
Source-Drain Diode
Ratings and Characteristics
Symbol
Test Conditions
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
Q rr
V GS = 0V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 0.5 I S , -di/dt = 100 A/μs, V R = 100V
300
3.0
41
164
1.5
A
A
V
ns
μ C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IXTH48N15 | MOSFET N-CH 150V 48A TO-247 |
| IXTH48N20 | MOSFET N-CH 200V 48A TO-247 |
| IXTH48P20P | MOSFET P-CH 200V 48A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH420N04T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH42N15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH42N15MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH42N15MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH42N20 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-218VAR |
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