参数资料
型号: IXTH41N25
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A
标准包装: 30
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 41A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 72 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3200pF @ 25V
功率 - 最大: 300W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247AD
包装: 管件
IXTH 41N25
80
Fig. 7. Input Admittance
60
Fig. 8. Transconductance
70
60
50
40
50
40
30
T J = -40oC
25oC
125oC
30
20
10
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
20
10
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
20
40
60
80
100
120
140
120
V GS - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
100
8
V D S = 125V
I D = 20.5A
I G = 10mA
80
6
60
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
2
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
20
40
60
80
100
120
10000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1M Hz
C iss
1
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
1000
100
C oss
C rss
0.1
0.01
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
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