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参数资料
| 型号： | IXTH76N25T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 76A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 76A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 92nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 460W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTA76N25T IXTH76N25T
IXTI76N25T IXTP76N25T IXTQ76N25T
80
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
180
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
70
60
50
8V
7V
6V
160
140
120
100
8V
7V
40
80
30
20
60
40
6V
10
0
5V
20
0
5V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
80
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 38A Value
vs. Junction Temperature
70
60
V GS = 10V
7V
3.0
2.8
2.6
V GS = 10V
2.4
50
6V
2.2
2.0
40
30
20
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
I D = 76A
I D = 38A
10
0
5V
0.8
0.6
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 38A Value
vs. Drain Current
80
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3.4
3.2
3.0
V GS = 10V
T J = 125oC
70
60
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTH86N20T | 功能描述:MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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