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参数资料
| 型号： | IXTN17N120L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 900 毫欧 @ 8.5A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXTN17N120L
18
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 20V
35
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 20V
16
14
14V
12V
30
16V
14V
25
12
10
8
10V
9V
20
15
12V
10V
6
4
2
0
8V
7V
10
5
0
9V
8V
7V
0
2
4
6
8
10
12
14
0
5
10
15
20
25
30
18
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 8.5A Value vs.
Junction Temperature
16
V GS = 20V
14V
2.8
V GS = 20V
12V
14
2.4
12
10V
10
2.0
I D = 17A
8
9V
1.6
I D = 8.5A
6
8V
1.2
4
2
0
7V
6V
5V
0.8
0.4
0
5
10
15
20
25
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 8.5A Value vs.
Drain Current
16
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.4
V GS = 20V
T J = 125oC
14
12
2.2
2.0
1.8
1.6
10
8
6
1.4
4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTN200N10T | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 |
| IXTN22N100L | MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 |
| IXTN32P60P | MOSFET P-CH 600V 32A SOT227 |
| IXTN46N50L | MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B |
| IXTN550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTN200N10L2 | 功能描述:MOSFET Linear L2 Pwr MOSFET w/Extended FBSOA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN200N10T | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN210P10T | 功能描述:MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN21N100 | 功能描述:MOSFET 21 Amps 100V 0.55 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN21N100 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
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