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参数资料
| 型号： | IXTN17N120L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 900 毫欧 @ 8.5A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXTN17N120L
20
Fig. 7. Input Admittance
9
Fig. 8. Transconductance
18
8
T J = - 40oC, 25oC, 125oC
16
14
12
T J = 125oC
25oC
- 40oC
7
6
5
10
4
8
6
4
2
0
3
2
1
0
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
50
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
45
14
V DS = 600V
40
35
12
I D = 8.5A
I G = 10mA
30
25
20
15
T J = 125oC
10
8
6
10
5
0
T J = 25oC
4
2
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V SD - Volts
Q G - NanoCoulombs
100,000
Fig. 11. Capacitance
1
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
f = 1 MHz
10,000
1,000
100
10
Ciss
Coss
Crss
0.1
0.01
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTN200N10T | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 |
| IXTN22N100L | MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 |
| IXTN32P60P | MOSFET P-CH 600V 32A SOT227 |
| IXTN46N50L | MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B |
| IXTN550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTN200N10L2 | 功能描述:MOSFET Linear L2 Pwr MOSFET w/Extended FBSOA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN200N10T | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN210P10T | 功能描述:MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN21N100 | 功能描述:MOSFET 21 Amps 100V 0.55 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN21N100 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
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