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参数资料
| 型号： | IXTP100N04T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2690pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA100N04T2
IXTP100N04T2
100
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
90
80
70
60
V GS = 15V
10V
9V
8V
7V
300
250
200
V GS = 15V
10V
9V
50
8V
40
6V
150
30
100
7V
20
10
0
5V
50
0
6V
5V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 50A Value
vs. Junction Temperature
90
V GS = 15V
2.2
80
70
60
50
10V
9V
8V
7V
2.0
1.8
1.6
1.4
V GS = 10V
I D = 100A
I D = 50A
40
30
6V
1.2
20
10
0
5V
1.0
0.8
0.6
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 50A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
80
70
60
50
40
External Lead Current Limit
1.4
1.2
30
1.0
0.8
0.6
T J = 25oC
20
10
0
0
50
100
150
200
250
300
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP10N60PM | MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP102N15T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP10N60P | 功能描述:MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP10N60PM | 功能描述:MOSFET 5.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP10P15T | 功能描述:MOSFET TenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP10P50P | 功能描述:MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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