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参数资料
| 型号： | IXTP100N04T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2690pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
7.0
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
7.0
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
6.5
6.0
5.5
5.0
R G = 5 ?
V GS = 10V
V DS = 20V
6.5
6.0
5.5
5.0
R G = 5 ?
V GS = 10V
V DS = 20V
T J = 125oC
4.5
I
D
= 100A
4.5
4.0
3.5
I
D
= 50A
4.0
3.5
T J = 25oC
3.0
2.5
3.0
2.5
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
20
30
40
50
60
70
80
90
100
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
7.0
16
14
23
6.5
6.0
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 20V
15
14
13
12
11
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
22
21
20
10
19
5.5
5.0
4.5
4.0
I D = 50A, 100A
13
12
11
10
9
8
7
6
5
I D = 100A
I D = 50A
I D = 100A
18
17
16
15
14
4
13
3.5
9
3
12
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
20
28
80
80
18
16
14
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
26
24
22
70
60
50
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 20V
70
60
50
12
20
10
T J = 125oC
18
40
I D = 50A
40
8
6
16
14
30
20
I D = 100A
30
20
4
2
T J = 25oC
12
10
10
0
10
0
20
30
40
50
60
70
80
90
100
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP102N15T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP10N60P | 功能描述:MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP10N60PM | 功能描述:MOSFET 5.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP10P15T | 功能描述:MOSFET TenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP10P50P | 功能描述:MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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