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参数资料
| 型号： | IXTQ80N28T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 280V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 49 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 115nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTQ 80N28T
120
100
80
Fig. 7. Input Adm ittance
100
90
80
70
Fig. 8. Transconductance
60
T J = -40 o C
60
50
25 o C
40
20
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
40
30
20
125 o C
10
0
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
200
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
180
160
140
120
100
9
8
7
6
5
V DS = 140V
I D = 40A
I G = 10mA
80
60
40
20
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
20
40
60
80
100
120
10000
1000
100
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
C iss
C oss
1000
100
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 150oC
T C = 25oC
R DS(on) Limit
25μs
100μs
10
f = 1MHz
C rss
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ86N20T | MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P |
| IXTQ90N15T | MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P |
| IXTR16P60P | MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247 |
| IXTR200N10P | MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247 |
| IXTR20P50P | MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ82N25P | 功能描述:MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ86N20T | 功能描述:MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ88N15 | 功能描述:MOSFET 88 Amps 450V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ88N30P | 功能描述:MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ90N15T | 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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