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参数资料
| 型号： | IXTT75N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 75A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 37.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTH / IXTM 67N10 IXTH / IXTM 75N10
IXTT 75N10
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-247 AD (IXTH) Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = I D25 , pulse test
25
30
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
4500
1300
pF
pF
1
2
3
C rss
550
pF
t d(on)
40
60
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 I D25
60
110
ns
t d(off)
R G = 2 ?, (External)
100
140
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
t f
30
60
ns
Dim.
Millimeter
Inches
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 I D25
(TO-204, TO-247)
180
30
90
0.25
260
70
160
0.42
nC
nC
nC
K/W
K/W
Min. Max.
A 4.7 5.3
A 1 2.2 2.54
A 2 2.2 2.6
b 1.0 1.4
b 1 1.65 2.13
b 2 2.87 3.12
C .4 .8
D 20.80 21.46
Min. Max.
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
pulse width limited by T JM
67N10
75N10
67N10
75N10
67
75
268
300
A
A
A
A
S 6.15 BSC 242 BSC
TO-204AE (IXTM) Outline
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
1.75
V
t rr
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
200
ns
TO-268 (IXTT) Outline
Pins
Dim.
1 - Gate
Case - Drain
Millimeter
2 - Source
Inches
Min. Max.
A 6.4 11.4
A1 3.42
? b .97 1.09
? D 22.22
e 10.67 11.17
e1 5.21 5.71
Min. Max.
.250 .450
.135
.038 .043
.875
.420 .440
.205 .225
L
? p
? p1
q
R
R1
s
7.93
3.84 4.19
3.84 4.19
30.15 BSC
13.33
4.77
16.64 17.14
.312
.151 .165
.151 .165
1.187 BSC
.525
.188
.655 .675
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
6,404,065B1
6,259,123B1
6,162,665
6,306,728B1
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT88N30P | MOSFET N-CH 300V 88A TO-268 |
| IXTT96N15P | MOSFET N-CH 150V 96A TO-268 |
| IXTT96N20P | MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 |
| IXTU01N100D | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 |
| IXTU01N100 | MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT75N10L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 100V 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT75N15 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
| IXTT75N20L2 | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT80N20L | 功能描述:MOSFET Standard Linear Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT82N25P | 功能描述:MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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