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参数资料
| 型号： | IXTT75N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 75A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 37.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTH / IXTM 67N10 IXTH / IXTM 75N10
IXTT 75N10
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2
Input Admittance
200
150
T J = 25°C
V GS = 10V
9V
150
125
100
8V
100
75
50
7V
50
6V
5V
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
25
0
0
1
2
3
T J = 125°C
4 5
T J = 25°C
6 7
8
9
10
V DS - Volts
V GS - Volts
1.4
Fig. 3 R DS(on) vs. Drain Current
2.50
Fig. 4
Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
1.3
1.2
T J = 25°C
V GS = 10V
2.25
2.00
1.75
1.1
1.0
0.9
V GS = 15V
1.50
1.25
1.00
0.75
I D = 37.5A
0.8
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I D - Amperes
T J - Degrees C
Voltage
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6
Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold
80
60
75N10
67N10
1.2
1.1
1.0
V GS(th)
BV DSS
0.9
40
0.8
20
0.7
0.6
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T C - Degrees C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2003 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT88N30P | MOSFET N-CH 300V 88A TO-268 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXTT75N20L2 | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT80N20L | 功能描述:MOSFET Standard Linear Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT82N25P | 功能描述:MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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