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参数资料
| 型号： | IXTT75N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 75A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 37.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTH / IXTM 67N10 IXTH / IXTM 75N10
IXTT 75N10
10
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
9
8
7
V DS = 50V
I D = 37.5A
I G = 1mA
100
Limited by R DS(on)
10μs
100μs
6
5
1ms
4
3
2
1
10
10ms
100ms
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
1
1
10
100
6000
5000
Gate Charge - nCoulombs
Fig.9 Capacitance Curves
150
125
V DS - Volts
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
4000
3000
f = 1MHz
V DS = 25V
C iss
100
75
2000
1000
C oss
50
25
T J = 125°C
T J = 25°C
0
0
5
10
15
C rss
20
25
0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V DS - Volts
Fig.11 Transient Thermal Impedance
D=0.5
V SD - Volt
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01 D=0.02
D=0.0 1
Single pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Time - Seconds
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
6,404,065B1
6,259,123B1
6,162,665
6,306,728B1
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT88N30P | MOSFET N-CH 300V 88A TO-268 |
| IXTT96N15P | MOSFET N-CH 150V 96A TO-268 |
| IXTT96N20P | MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 |
| IXTU01N100D | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 |
| IXTU01N100 | MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT75N10L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 100V 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT75N15 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
| IXTT75N20L2 | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT80N20L | 功能描述:MOSFET Standard Linear Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT82N25P | 功能描述:MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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