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参数资料
| 型号： | IXTY08N100D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 70 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 800mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 欧姆 @ 400mA，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 325pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTY08N100D2 IXTA08N100D2
IXTP08N100D2
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
V GS = 5V
2V
1V
0V
-1V
-2V
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
V GS = 5V
2V
1V
0V
-1V
-2V
0
2
4
6
8
10
12
14
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V DS - Volts
Fig. 4. Drain Current @ T J = 25oC
0.8
V GS = 5V
1E-01
0.7
0.6
0.5
1V
0V
-1V
1E-02
1E-03
1E-04
V GS = - 3.00V
- 3.25V
- 3.50V
- 3.75V
0.4
0.3
1E-05
- 4.00V
0.2
0.1
0.0
-2V
-3V
1E-06
1E-07
1E-08
- 4.25V
- 4.50V
0
5
10
15
20
25
30
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000 1100 1200
1.E-01
V DS - Volts
Fig. 5. Drain Current @ T J = 100oC
1.E+11
V DS - Volts
Fig. 6. Dynamic Resistance vs. Gate Voltage
? V DS = 700V - 100V
1.E-02
V GS = -3.25V
1.E+10
-3.50V
1.E+09
1.E-03
-3.75V
1.E+08
1.E-04
-4.00V
1.E+07
T J = 25oC
1.E-05
1.E-06
-4.25V
-4.50V
1.E+06
1.E+05
T J = 100oC
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000 1100 1200
-4.6
-4.4
-4.2
-4.0
-3.8
-3.6
-3.4
-3.2
-3.0
-2.8
V DS - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V GS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTY08N100P | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 |
| IXTY08N50D2 | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK |
| IXTY1N80P | MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY08N100P | 功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY08N120P | 功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY08N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY10P15T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY12N06T | 功能描述:MOSFET 12 Amps 6V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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