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参数资料
| 型号： | IXTY08N100D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 70 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 800mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 欧姆 @ 400mA，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 325pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTY08N100D2 IXTA08N100D2
IXTP08N100D2
1,000
Fig. 13. Capacitance
5
Fig. 14. Gate Charge
4
V DS = 500V
Ciss
3
2
I D = 400mA
I G = 1mA
100
1
10
1
f = 1 MHz
Coss
Crss
0
-1
-2
-3
-4
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
2
4
6
8
10
12
14
16
10.00
V DS - Volts
Fig. 15. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
R DS(on) Limit
10.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 16. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
R DS(on) Limit
1.00
25μs
100μs
1.00
25μs
100μs
1ms
0.10
T J = 150oC
DC
10ms
100ms
0.10
T J = 150oC
1ms
10ms
100ms
0.01
T C = 25oC
Single Pulse
0.01
T C = 75oC
Single Pulse
DC
10
100
1,000
10
100
1,000
10.0
1.0
0.1
V DS - Volts
Fig. 17. Maximum Transient Thermal Impedance
V DS - Volts
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: T_08N100D2(1C)8-25-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTY08N100P | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 |
| IXTY08N50D2 | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK |
| IXTY1N80P | MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 |
| IXTY1N80 | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA |
| IXTY1R6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY08N100P | 功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY08N120P | 功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY08N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY10P15T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY12N06T | 功能描述:MOSFET 12 Amps 6V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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