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参数资料
| 型号： | IXTY08N100D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 70 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 800mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 欧姆 @ 400mA，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 325pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTY08N100D2
IXTA08N100D2
IXTP08N100D2
2.6
2.2
1.8
1.4
Fig. 7. Normalized R DS(on) vs. Junction Temperature
V GS = 0V
I D = 0.4A
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
Fig. 8. R DS(on) Normalized to I D = 0.4A Value
vs. Drain Current
V GS = 0V
5V - - - -
T J = 125oC
1.4
1.0
0.6
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
0.2
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.4
V DS = 30V
T J - Degrees Centigrade
Fig. 9. Input Admittance
1.2
V DS = 30V
I D - Amperes
Fig. 10. Transconductance
1.2
1.0
1.0
0.8
T J = - 40oC
25oC
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
0.6
0.4
0.2
0.0
125oC
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.3
V GS - Volts
Fig. 11. Breakdown and Threshold Voltages
vs. Junction Temperature
2.8
I D - Amperes
Fig. 12. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
2.4
V GS = -10V
1.2
1.1
V GS(off) @ V DS = 25V
2.0
1.6
1.0
BV DSX @ V GS = - 5V
1.2
T J = 125oC
T J = 25oC
0.8
0.9
0.4
0.8
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
T J - Degrees Centigrade
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V SD - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTY08N100P | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 |
| IXTY08N50D2 | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK |
| IXTY1N80P | MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 |
| IXTY1N80 | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA |
| IXTY1R6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY08N100P | 功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY08N120P | 功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY08N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY10P15T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY12N06T | 功能描述:MOSFET 12 Amps 6V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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