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参数资料
| 型号： | IXTY12N06T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 70 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 256pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 33W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
TrenchMV TM
Power MOSFET
IXTU12N06T
IXTY12N06T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 60V
= 12A
≤ 85m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-251 (IXTU)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
G
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
60
60
V
V
D
S
D (TAB)
V GSM
Transient
± 20
V
I D25
I DM
I LRMS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
Package Current Limit, RMS TO-252
12
30
25
A
A
A
TO-252 (IXTY)
I AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
3
20
A
mJ
G
S
D (TAB)
P D
T C = 25 ° C
33
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +175
175
-55 ... +175
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T L
T SOLD
M d
Weight
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s
Mounting torque
TO-251
TO-252
300
260
1.13/10
0.40
0.35
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Features
Ultra-low On Resistance
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
175 ° C Operating Temperature
Advantages
Easy to mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space savings
High power density
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 25 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V T J = 150 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Notes 1, 2
60
2.0
V
4.0 V
± 50 nA
1 μ A
100 μ A
85 m Ω
Applications
Automotive
- Motor Drives
- 42V Power Bus
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary Switch for 24V and 48V
Systems
High Current Switching
Applications
2008 IXYS CORPORATION All rights reserved
DS99947(4/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EVAL-433-LR | KIT BASIC EVAL 433MHZ LR SERIES |
| EVAL-418-HHLR | KIT EVAL FOR HHLR 418MHZ XMITTER |
| MDEV-433-HH-LR8-HS | KIT DEV TX 433MHZ HS LONG-RANGE |
| PM113-625.0M | OSC 625.0000 MHZ 3.3V LVPECL |
| FCPF20N60 | MOSFET N-CH 600V 20A TO220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY12N06TTRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 |
| IXTY15N20T | 功能描述:MOSFET 15 Amps 200V 180 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY15P15T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY18P10T | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 |
| IXTY1N100P | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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