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参数资料
| 型号： | IXTY12N06T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 70 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 256pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 33W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTU12N06T
IXTY12N06T
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
32
28
24
20
16
12
8
4
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 6A Value
vs. Junction Temperature
12
11
10
9
V GS = 10V
9V
8V
2.2
2.0
1.8
V GS = 10V
8
7
6
7V
6V
1.6
1.4
I D = 12A
I D = 6A
5
4
1.2
3
2
1
0
5V
1.0
0.8
0.6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.5
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 6A Value
vs. Drain Current
V GS = 10V
13
12
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3.0
2.5
15V - - - -
T J = 175oC
11
10
9
8
7
2.0
1.5
6
5
4
3
1.0
0.5
T J = 25oC
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
2008 IXYS CORPORATION All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EVAL-433-LR | KIT BASIC EVAL 433MHZ LR SERIES |
| EVAL-418-HHLR | KIT EVAL FOR HHLR 418MHZ XMITTER |
| MDEV-433-HH-LR8-HS | KIT DEV TX 433MHZ HS LONG-RANGE |
| PM113-625.0M | OSC 625.0000 MHZ 3.3V LVPECL |
| FCPF20N60 | MOSFET N-CH 600V 20A TO220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY12N06TTRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 |
| IXTY15N20T | 功能描述:MOSFET 15 Amps 200V 180 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY15P15T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY18P10T | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 |
| IXTY1N100P | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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