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参数资料
| 型号： | IXTY12N06T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 70 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 256pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 33W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTU12N06T
IXTY12N06T
10
9
8
Fig. 7. Input Admittance
6
5
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
7
4
25oC
6
5
4
3
150oC
3
2
1
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
2
1
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
30
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 30V
25
20
15
8
7
6
5
I D = 6A
I G = 10mA
10
5
0
T J = 150oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
1,000
100
10
1
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
10.0
1.0
0.1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Second
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PDF描述 |
|---|---|
| EVAL-433-LR | KIT BASIC EVAL 433MHZ LR SERIES |
| EVAL-418-HHLR | KIT EVAL FOR HHLR 418MHZ XMITTER |
| MDEV-433-HH-LR8-HS | KIT DEV TX 433MHZ HS LONG-RANGE |
| PM113-625.0M | OSC 625.0000 MHZ 3.3V LVPECL |
| FCPF20N60 | MOSFET N-CH 600V 20A TO220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY12N06TTRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 |
| IXTY15N20T | 功能描述:MOSFET 15 Amps 200V 180 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY15P15T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY18P10T | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 |
| IXTY1N100P | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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